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Noticias de la compañía El apilamiento CTE-Ajustado de Si₃N₄–SiC reduce las fallas de la interfaz E-Drive de 800 V en un 90%
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El apilamiento CTE-Ajustado de Si₃N₄–SiC reduce las fallas de la interfaz E-Drive de 800 V en un 90%

2026-01-12
Latest company news about El apilamiento CTE-Ajustado de Si₃N₄–SiC reduce las fallas de la interfaz E-Drive de 800 V en un 90%

En las plataformas de 800 V, los dispositivos SiC funcionan a altas temperaturas y altos dI/dt, amplificando significativamente la tensión térmica en las interfaces del paquete y causando fallas tempranas del módulo de alimentación.

Los sustratos de Si3N4 cuentan con un coeficiente de expansión térmica de aproximadamente 3,2 × 10−6/°C, que coincide estrechamente con el SiC a ~ 4,0 × 10−6/°C.Las pruebas de ciclo térmico muestran que la sustitución de sustratos heredados por Si3N4 reduce los fallos de rotura de soldadura y de deslaminado de interfaces en aproximadamente un 90%, extendiendo en gran medida la vida útil del ciclo de potencia.

Para las marcas de vehículos eléctricos que empujan arquitecturas de 800 V, this CTE matching at the material level reduces the need for aggressive derating and allows engineers to unlock more power margin in the same package size while maintaining reliability over the vehicle warranty period.

En el caso de la migración de 400 V a 800 V, no basta con centrarse únicamente en los parámetros del dispositivo SiC.fiabilidad de la interfaz y rendimiento térmico evaluados conjuntamente.

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