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Si₃N₄ unido por AMB - Cu con una resistencia de 25 MPa marca el comienzo de una nueva era para el empaquetado de IGBT automotrices

2025-01-14

La soldadura fuerte de metal activo (AMB) es la tecnología clave para el revestimiento de Cu en sustratos cerámicos en módulos de alta potencia, y la resistencia de la unión impacta directamente en la fiabilidad de los módulos IGBT/SiC bajo ciclos térmicos y choques mecánicos.

Al optimizar la metalización y los sistemas de relleno, la resistencia de la unión Si₃N₄–Cu se ha elevado a 25 MPa, aproximadamente 1,5 veces la de las pilas convencionales de AlN–Cu. Esto permite que los módulos con el mismo grosor y diseño de cobre resistan cargas térmicas y mecánicas más altas.

Para inversores de grado automotriz, OBC y convertidores CC/CC, una mayor resistencia de la unión no solo reduce el riesgo de deslaminación de las almohadillas, sino que también permite “cobre más delgado, paquetes más pequeños”, lo que facilita una mayor densidad de potencia y diseños más compactos debajo del capó.

Durante las fases de actualización del módulo, las soluciones AMB de Si₃N₄ deben probarse temprano, con una comparación A/B de los ciclos de potencia y las vidas útiles de choque térmico bajo diseños idénticos para cuantificar las ganancias de fiabilidad.

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La soldadura fuerte de metal activo (AMB) es la tecnología clave para el revestimiento de Cu en sustratos cerámicos en módulos de alta potencia, y la resistencia de la unión impacta directamente en la fiabilidad de los módulos IGBT/SiC bajo ciclos térmicos y choques mecánicos.

Durante las fases de actualización del módulo, las soluciones AMB de Si₃N₄ deben probarse temprano, con una comparación A/B de los ciclos de potencia y las vidas útiles de choque térmico bajo diseños idénticos para cuantificar las ganancias de fiabilidad.

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